در این مقاله مدارات منطقی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان (FET) بر اساسنانوتیوب های کربن نشان داده شده است. طرح پیشنهادی قطعه، مشخصه های مطلوبی از جمله بهره (بزرگ تر از 10)، نسبت روشن- خاموش بال... [بیشتر بخوانید]